9月23—25日，記者在廣州舉辦的“2021中國(guó)電子材料產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展大會(huì)”上獲悉，隨著5G基站、手機(jī)快充以及新能源電動(dòng)汽車等新興領(lǐng)域?qū)Π雽?dǎo)體器件的功率、效率、散熱以及小型化提出更高要求，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體正得到廣泛應(yīng)用，并加速進(jìn)入黃金發(fā)展期。
當(dāng)前，新一輪科技革命深入演進(jìn)，數(shù)字時(shí)代撲面而來，全球主要國(guó)家在數(shù)字經(jīng)濟(jì)領(lǐng)域展開激烈角逐。關(guān)鍵數(shù)字技術(shù)創(chuàng)新，中國(guó)已經(jīng)取得了哪些優(yōu)勢(shì)？在當(dāng)前國(guó)際環(huán)境下，面臨哪些難題要“啃”？
隨著以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體步入產(chǎn)業(yè)化階段，對(duì)新一代半導(dǎo)體材料的探討已經(jīng)進(jìn)入大眾視野。走向產(chǎn)業(yè)化的銻化物，以及國(guó)內(nèi)外高度關(guān)注的氧化鎵、金剛石、氮化鋁鎵等，都被視為新一代半導(dǎo)體材料的重要方向。從帶隙寬度來看，銻化物屬于窄帶半導(dǎo)體，而氧化鎵、金剛石、氮化鋁屬于超寬禁帶半導(dǎo)體。新一代半導(dǎo)體材料，將一路向?qū)?，還是一路向窄？
新浪科技訊據(jù)報(bào)道，韓國(guó)三星電子是全世界最大的存儲(chǔ)芯片制造商，日前，三星電子研發(fā)團(tuán)隊(duì)和美國(guó)哈佛大學(xué)共同發(fā)表了一篇研究論文，他們提出了一種新方法，準(zhǔn)備在一個(gè)存儲(chǔ)芯片上“反向工程”（復(fù)制）人類的大腦。
從智能手機(jī)、電視到風(fēng)力渦輪機(jī)，硅芯片的需求正在蓬勃發(fā)展，但它也付出了巨大的代價(jià)：巨大的碳足跡。該行業(yè)呈現(xiàn)出一個(gè)悖論。實(shí)現(xiàn)全球氣候目標(biāo)在某種程度上要依靠半導(dǎo)體。它們是電動(dòng)汽車、太陽(yáng)能電池陣列和風(fēng)力渦輪機(jī)的組成部分。
關(guān)注微信公眾號(hào)，了解最新精彩內(nèi)容
全國(guó)熱線
企業(yè)郵箱
企業(yè)地址
微信二維碼
微博二維碼
