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CMSA180P03是P溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管，采用廣東場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體有限公司（Cmos）先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，提供優(yōu)秀的RDS（ON）。

CMB044N10BMOS管是一款采用柵極分割改進(jìn)型溝槽工藝設(shè)計(jì)的大功率FET，屬于低電壓大電流MOS，具有卓越的性能和廣闊的應(yīng)用市場(chǎng)。

CMD060N10是采用廣東場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體有限公司（Cmos）先進(jìn)的SGT工藝技術(shù)和設(shè)計(jì)，提供優(yōu)秀的RDS(ON)、Qg、CISS，非常適合用于DC-DC電源、電源切換應(yīng)用，開(kāi)關(guān)控制，電機(jī)控制、LED控制等多種應(yīng)用。

CMD840 MOS是一款采用平面工藝設(shè)計(jì)的高壓小電流FET，作為電子工程師我們都知道，平面工藝FET很多電性特征參數(shù)都與內(nèi)部晶片大小息息相關(guān)。

CMF65R140是Cmos推出新一代650V功率超結(jié)MOSFET，可用于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源、太陽(yáng)能（PV）功率調(diào)節(jié)器、不間斷電源系統(tǒng)（UPS）和其他工業(yè)應(yīng)用。