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CMH80P10 MOSFET是場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體（Cmos）開發(fā)的一款P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體元器件，其卓越的電氣性能和可靠性，成為中低壓、大電流場(chǎng)景下的核心器件。

CMP200N25 MOSFET以其“高能效、高功率密度、高可靠性”的三重優(yōu)勢(shì)，成為工業(yè)電源、新能源汽車及消費(fèi)類電子鄰域的理想選擇。

CMF85R290R是采用Cmos先進(jìn)超級(jí)結(jié)技術(shù)的功率MOSFET，實(shí)現(xiàn)非常低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷，通過使用優(yōu)化的電荷耦合技術(shù)，提供更高的效率。

CMH12N90功率MOSFET，采用Cmos的專有平面條形DMOS技術(shù)，改進(jìn)了dv/dt能力，非常適合用于高效開關(guān)電源。

CMF10N80是一款綜合性能優(yōu)秀的N溝道高壓功率MOSFET，采用Cmos先進(jìn)的平面工藝制造，其核心優(yōu)勢(shì)是抗沖擊性高、高頻特性好、不可控造因素成的特性離散性小等優(yōu)勢(shì)，適用于開關(guān)電源（SMPS）、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變儲(chǔ)能及工業(yè)電磁閥小信號(hào)類應(yīng)用等場(chǎng)景。