CMH75N65EH5—650V/75A IGBT是場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體采用新的溝槽設(shè)計(jì)理念
CMSA085DN06AU是采用廣東場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體有限公司（Cmos）先進(jìn)的SGT技術(shù)，具有非常出色的RDS（ON）。
CMSL107N20是一款N型場(chǎng)效應(yīng)功率管，采用Cmos先進(jìn)的柵裂工藝研發(fā)，優(yōu)秀的高頻特性、低導(dǎo)通內(nèi)阻以及理想的散熱性使其具有非常廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景
CMP034N06是一款高性能的N溝道功率場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET），采用先進(jìn)的SGT工藝制成，具有優(yōu)秀的電特性，適用于車載電子、電動(dòng)工具、LED照明、不間斷電源等大功率、高效率的開關(guān)場(chǎng)景。
CMP130N85A是采用Cmos成熟的柵極多層分割槽工藝制造的一款金屬氧化物功率半導(dǎo)體分離器件。
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